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ZEPマガジン

2025年7月2日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
超高スルーレートのSiC/GaNを安全に使う
SiCやGaNのFETを安全に高速駆動するためには，誤動作防止のための分離構造，放熱設計に配慮が必要．特にケルビン・ソース端子の適切な扱いは信頼性確保に直結する
2025年7月1日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
出力容量（Coss）が効率を悪化させる
$C_{oss}$によりスイッチング時にエネルギが蓄積され，その蓄積エネルギはスイッチ動作時に損失として消費される．容量値の大きい素子を選ぶと，高速スイッチングにおいて不利に働く
2025年6月30日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
SiC化による逆回復損失の低減
SiC MOSFETではボディ・ダイオードの構造上，$Q_{rr}$は1桁から2桁小さく，おおよそ1/100の損失に抑えられる．ハード・スイッチングでも大きな損失を伴わずに高効率を維持できる
2025年6月29日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
電流連続モード設計が容易に！低Qrr SiC MOSFET
Qrrは高周波スイッチング回路の効率と信頼性を左右する重要な因子．SiC MOSFETによってこの損失を抑えられることで，設計の自由度が高まり，電源回路の性能と信頼性が向上する
2025年6月28日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
SiC GaN FETの高速ドライブ回路設計
車載のオンボード・チャージャを構成するPFC回路やLLC共振コンバータなどの高周波駆動が求められるブロックに，SiCやGaNといったワイドバンド・ギャップ半導体が導入されつつある
2025年6月27日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
Si FETとJFETを縦積み！カスコード型 GAN FET
SiC JFETとSi MOSFETを縦に組み合わせたカスコード構成は，ノーマリ・オン特性を扱いやすくし，ノーマリ・オフのような挙動を可能にする
2025年6月26日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
GaN MOSFETの構造
GaN MOSFETの高速スイッチングを活かすためには寄生インダクタンスを抑えるレイアウトとデッドタイムの管理が重要
2025年6月25日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
SiCはSiの耐圧100倍，放熱効率3倍
SiC（炭化ケイ素）MOSFETは，シリコン（Si）ベースのMOSFETに比べて，同じドリフト層の厚さでも約30?40倍の耐圧が得られる特性をもつ
2025年6月24日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
SiからGaN SiCまで！MOSFETの耐圧とオン抵抗
SiC（炭化ケイ素）は700Vから1200V，さらには1700V以上の高耐圧領域で普及が進んでいる．電気自動車や産業用インバータ向けに開発が進んでいる
2025年6月23日号 　 [半導体/電子部品] [電源/電池/パワエレ]
GaNは横型，SiCは縦型
現在のGaNは，GaN on Siliconという形で横型のプロセスを採用．電子の流れが基板に対して平行方向に進むため，微細化によるスイッチング速度アップが可能

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